聂国政，1979年生，中共党员，博士，副教授，硕士研究生导师，151第三层次人才。2011年6月毕业于华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室，获微电子与固体电子学专业的工学博士学位。现为湖南工商大学tyc1286太阳集团教师。
长期致力于基于高性能的薄膜晶体管（TFT）的研究。主要研究领域为：半导体材料第一性原理计算、新型TFT器件结构设计与优化、阈值电压的有效调控、电学稳定性等方面的研究。在《Journal of Materials Chemistry A 》、《Organic Electronics》、《IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics》、《Acta Physica Sinica》、《ACS OMEGA》等国内外期刊发表SCI学术论文20余篇，主持国家自然科学基金1项、省部级科学研究项目3项。在天马微电子股份有限公司工作站和华南理工大学流动站从事博士后研究期间，参与研制MO-TFT驱动的彩色显示屏，设计和开发高迁移率和高稳定性的稀土掺杂的氧化物半导体材料（Ln-IZO），其迁移率和稳定性远超过传统的InGaZnO材料。
